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李国正; 张浩;
西安交通大学电子工程系;
半导体材料; 异质结; 红外探测器; 应变层超晶格;
机译:暗场电子全息技术研究Ge_xSi_(1-x)/ Si应变层超晶格中的应变和薄膜弛豫
机译:应变对凝结生长具有纳米厚度Ge_xSi_(1-x)层的SiO_2 / Ge_xSi_(1-x)/ SiO_2 /(100)Si结构的Ge悬空键界面缺陷的钝化效率的影响
机译:基于Ⅱ型InAs / InAs_(1-x)Sb_x / AlAs_(1-x)Sb_x超晶格的高性能短波红外光电探测器
机译:CVD生长的红外光电探测器外延Si_(1-x)Ge_x薄膜和超晶格结构
机译:多色量子阱红外光电探测器和II型超晶格红外光电探测器的研究。
机译:II型超晶格具有带结构设计的光生载流子提取器的可见/扩展短波长红外光电探测器
机译:用于长波长红外探测器的Si(1-x)Ge(x / Si超晶格中的子带间吸收
机译:si(1-x)Ge中的子带间吸收(用于长波长红外探测器的x / si超晶格)
机译:在InAs衬底上生长的中红外激光结构的选择性Si掺杂InAs / AlAsSb短周期超晶格作为N型覆盖层
机译:超晶格结构和包含该结构的红外探测器
机译:超晶格结构和结合了该结构的红外探测器
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