首页> 中文期刊> 《半导体学报》 >低压条形栅功率场效应晶体管的研制

低压条形栅功率场效应晶体管的研制

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

介绍一种新型低压平面结构的功率场效应晶体管--条形栅VDMOS.通过与传统的元胞型结构比较,发现条形栅具有导通电阻小、开关速度快以及工作稳定性高等特点.还对条形栅VDMOS的工艺做了介绍,其工艺过程简单,实用性强.

著录项

来源
《半导体学报》 |2006年第z1期|205-207|共3页
作者
王立新; 廖太仪; 陆江;
展开▼
作者单位

中国科学院微电子研究所;

北京;

100029 中国科学院微电子研究所;

北京;

100029 中国科学院微电子研究所;

北京;

100029;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
条形栅; VDMOS; 功率场效应晶体管;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 具有梯度掺杂漂移区的分裂栅功率场效应晶体管设计 [J] . 陈铭 . 集成电路应用 . 2018,第005期
2. 平面栅功率MOS场效应晶体管结构研究进展 [J] . 雷珍琳 ,史中海 ,裴志军 . 天津职业技术师范大学学报 . 2012,第004期
3. 平面栅功率MOS场效应晶体管结构研究进展 [J] . 雷珍琳 ,史中海 ,裴志军 . 天津职业技术师范大学学报 . 2012,第004期
4. 12 GHz GaAs/InGaAs异质结双栅功率场效应晶体管 [J] . 王玉林 ,吴仲华 ,徐中仓 . 固体电子学研究与进展 . 1997,第2期
5. 磷化铟功率绝缘栅场效应晶体管及其前景探讨 [J] . 张汉三 . 半导体情报 . 1992,第002期
6. 低压条形栅功率场效应晶体管的研制 [C] . 王立新 ,廖太仪 ,陆江 . 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 . 2005
7. 有机场效应晶体管(OFET)型浮栅存储器的研制 [A] . 王粉霞 . 2019

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号