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李秀琼; 王培大; 马祥彬; 王纯;
中国科学院微电子中心;
中国科学院半导体研究所;
冷发射电子束; 掺杂; 磷; 集成电路;
机译:低压电子束和真空紫外激发下掺杂Tm〜(3+)和未掺杂LiGd(PO_3)_4的Gd〜(3+)的光子级联发射
机译:Tm 3 + sup>掺杂和未掺杂的LiGd(PO 3 sub>) 4 sub>中Gd 3 + sup>的光子级联发射>在低压电子束和真空紫外线激发下
机译:磷掺杂的多晶硅发射极晶体管的类似杂发射极的特性。第一部分:通过电学测量获得的多晶硅发射极中的能带结构
机译:在SIN / ARC之前或之后使用局部激光熔体(LLM)退火将POCL3和BBR3炉扩散掺杂源与磷和硼注入以及等离子掺杂源用于选择性发射极形成的选择性发射极进行比较
机译:重掺杂N型硅中的少数族裔载运子(发射极,磷表皮,双极晶体管,能隙窄带,太阳能电池)。
机译:磷和氮共掺杂纳米晶金刚石膜的场电子发射性能的改善
机译:磷掺杂的pH值,柠檬黄和抗氧化应用的磷掺杂的绿色发射荧光碳点
机译:空间电荷掺杂电子束的多重横向发射诊断
机译:磷掺杂的金刚石膜具有显着降低的电子发射电压,生产相同膜的过程以及使用所述磷掺杂的金刚石膜的电子源
机译:含磷掺杂剂,使用此类含磷掺杂剂在半导体基底中形成磷掺杂区域的方法以及形成此类含磷掺杂剂的方法
机译:具有冷发射微发射器网络的电子枪管微发射阴极,其微束枪会聚器会聚在聚焦电极对面的微电子束虚拟区。
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