低能电子束照射集成电路芯片时的静态电容衬度分析

摘要

在研究低能电子束照射绝缘物时在二次电子返回特性的基础上 ,通过绝缘物表面照射微区和衬底之间的有效电容 ,获得了表面电位和二次电子信号电流在表面电荷积累过渡过程中随照射条件的变化关系 ,建立了电子束照射覆盖有绝缘膜的 IC芯片时形成静态电容衬度的理论模型 .从理论上分析了电子束照射条件和芯片内部形貌、材料参数对静态电容衬度的影响 。