SOI光波导和集成波导光开关矩阵

陈少武; 余金中; 刘敬伟; 王章涛; 夏金松; 樊中朝

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SOI光波导和集成波导光开关矩阵

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报道了基于SOI(silicon-on-insulator)材料的光波导和集成波导光开关矩阵的最新研究进展.给出了截面为梯形的脊波导的单模条件,设计制备了MMI(multimode interference)集成耦合器和基于Mach-Zehnder光波导干涉仪的热光型2×2光开关,开关转换速度达到了5～8μs,驱动功耗仅为140mW,是当前国际上同类型光开关中转换速度最快的.在此基础上制备成功了4×4波导光开关矩阵,并实现了光信号在不同信道间的转换.

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来源
《半导体学报：英文版》|2005年第z1期|212-215|共4页
作者
陈少武; 余金中; 刘敬伟; 王章涛; 夏金松; 樊中朝;
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作者单位

中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类集成光学器件;
关键词
光波导; SOI材料; 单模条件; 光开关/光开关矩阵;
入库时间 2022-08-20 16:26:52

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