线形拟合在X射线衍射研究GaN薄膜材料结构时的必要性

陈志涛; 徐科; 杨志坚; 苏月永; 潘尧波; 杨学林; 张酣; 张国义

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利用高分辨X射线衍射仪(XRD)分析了长时间退火前后的GaN样品.通过对各个样品的(0002)面摇摆曲线进行线形拟合及分析,发现虽然退火后摇摆曲线的半峰宽变大,但面外倾斜角(tilt)的值却变小,从而螺型穿透位错(TD)密度变小,这与化学腐蚀实验的结果一致.我们的结果表明,线形拟合在利用XRD研究GaN薄膜材料结构的过程中是十分必要的,而不能用摇摆曲线的展宽直接表征TD密度.

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来源
《半导体学报》 |2006年第8期|1378-1381|共4页
作者
陈志涛; 徐科; 杨志坚; 苏月永; 潘尧波; 杨学林; 张酣; 张国义;
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作者单位

北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心;

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正文语种 chi
中图分类 X射线晶体学;
关键词
高分辨XRD; 摇摆曲线; 穿透位错;

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