薄膜SOI温度传感器中的少数载流子排斥效应(英文)

摘要

在薄膜 SOI衬底上制备普通电阻结构的硅温度传感器 ,并具有令人满意的特性 :即使在 0 .1m A的低偏置电流下 ,器件的最高温度工作温度仍能达到 5 5 0℃ .实验结果分析说明 ,当硅膜足够薄时 ,普通电阻结构中可表现出较强的少数载流子排斥效应 ,大大提高了本征转折温度 ,从而提高器件的最高工作温度 .同时 ,由于薄膜 SOI温度电阻的结构对器件最高工作温度的影响不大 ,因而传感器的器件结构可以根据需要来选择 .