退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
冯文修; 陈蒲生; 田浦延; 刘剑;
华南理工大学应用物理系;
电子隧穿; 快速热氮化; 晶向硅; 薄膜; 二氧化碳; 模型解释;
机译:SiO_2隧穿氧化物厚度对Si纳米晶点浮栅存储器中电子隧穿机理的影响
机译:室温下SiO_2 / nc-Si / SiO_2多层中具有高峰谷电流比的共振隧穿
机译:多晶硅/ SiO_2 / Si_3N_4 / SiO_2 / Si和TaN / Al_2O_3 / Si_3N_4 / SiO_2 / Si结构中隧穿模拟的Franz色散关系
机译:各向同性N〜+ Poly-Si / HFSIO_XN / TRAP / SIO_2 / P-SI电容中的电子隧穿电流:深度和宽度陷阱和Si方向的影响
机译:超快速相干电子自旋控制及二维电子气的相关隧穿动力学。
机译:自旋隧穿电流驱动CoFeB / MgO / CoFeB磁性隧穿结的超快退磁增强
机译:具有纳米级势垒宽度的硅化物/ Si肖特基接触中的低温隧穿电流增强
机译:福勒 - 诺德海姆隧穿电流中量子振荡的si / siO2界面形态表征
机译:具有直接隧穿的隧穿场效应晶体管,可增强隧穿电流
机译:电子隧穿磁场传感器,在隧穿尖端和可旋转磁体之间保持恒定的隧穿电流
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。