三沟道体电荷耦合器件在近红外光区光电特性的数值模拟

摘要

对三沟道BCCD(bulk charge coupled device)在近红外光区的光电特性进行了研究.结果表明,锗制的三沟道BCCD不能在近红外光区实现多光谱成像.通过理论分析,找到了一种能保证BCCD在近红外光区工作的衬底材料应满足的吸收曲线.数值模拟结果表明:利用这种新材料制成的三沟道BCCD,其光敏特性曲线可以分别在1 .0,1. 1和1. 26μm处出现最大值.