影响Ar+激光再结晶多晶硅/二氧化硅界面性质的因素

黄信凡; 鲍希茂; 蒋锡平; 文婧; 褚一鸣

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影响Ar+激光再结晶多晶硅/二氧化硅界面性质的因素

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本文就Ar+激光辐照功率、衬底温度等因素对SOI结构再结晶多晶硅/二氧化硅界面性质的影响进行研究,利用高频和准静态C-V技术测量该界面氧化物固定电荷密度Nt和界面态陷阱密度Nit,用平面和剖面TEM分析再结晶多晶硅膜的结构特性,我们发现当衬底温度为 320℃和420℃时存在一个功率窗口 6.0～6.2W.

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来源
《半导体学报》 |1986年第6期|612-616679|共5页
作者
黄信凡; 鲍希茂; 蒋锡平; 文婧; 褚一鸣;
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作者单位

南京大学物理系;

南京大学物理系;

南京大学物理系;

南京大学物理系;

中国科学院半导体研究所;

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