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P型锗中光子牵引效应

         

摘要

用选支连续波CO2激光,在20-300K温度范围,测量了8 ×1014-2 ×1015cm-3载流子浓度,<100>、<110>和<111>晶向的P-Ge中光子牵引的极性反转和各向异性效应.结果表明:80—300K,P-Ge中横向光子牵引电压与温度关系不大,而纵向光子牵引电压随温度变化显著,并发生电压极性的反转,反转温度To与杂质浓度、晶向有关,相同杂质浓度下,To[100]M<To[111]<To[100];首次在80K以下观测到光子牵引电流随温度降低而迅速增大.分别测量样品前半部和后半部纵向光子牵引电压温度关系结果表明,无A·F·Gibson等指出的异常现象;p-Ge光子牵引效应具有显著的各向异性.上述实验结果与根据轻、重空穴带间跃迁,并考虑光子波矢作用的理论分析一致.

著录项

  • 来源
    《半导体学报》 |1986年第6期|565-572|共8页
  • 作者单位

    北京大学物理系固体物理研究所;

    北京大学物理系固体物理研究所;

    北京大学物理系固体物理研究所;

    北京大学物理系固体物理研究所;

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