射频溅射a—Si:F,H中载流子的低温传导

摘要

在300—77K温区内对射频溅射制备的a—Si:F,H薄膜样品作了直流电导测量。结果表明,当T>200K时载流子的传导是以最近邻跳跃传导为主,而在77K