摘要
第一章 绪论
1.1 研究背景及意义
1.2 聚变反应堆面壁材料与等离子体的相互作用(PWI)
1.3 PFMs的性能要求和选择
1.4 C/Si-C材料在聚变中的应用
1.5 H在PFMs中的滞留
1.6 H同位素滞留的研究介绍
1.7 选题依据和研究内容
第二章 样品的制备方法和表征手段
2.1 样品的制备方法
2.1.1 磁控溅射技术介绍
2.1.2 制备条件
2.2 样品的表征
2.2.1 离子束分析方法(RBS、ERD)
2.2.2 热脱附谱(TDS)
2.2.3 拉曼光谱(Raman)和傅里叶变换红外显微光谱(FTIR)
2.2.5 扫描电子显微镜(SEM)
第三章 含D碳-硅薄膜的制备及D的滞留特性研究
3.1 引言
3.2 样品的制备
3.3 薄膜样品的结构分析
3.4 样品的成分和D滞留分析
3.5 薄膜样品的热脱附谱(TDS)
3.6 SEM观测结果
3.7 小结
第四章 含D的碳薄膜的制备和D的滞留研究
4.1 含D的碳膜样品的制备
4.2 离子束分析D的滞留
4.3 小结
第五章 总结和展望
5.1 总结
5.2 展望
参考文献
致谢
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