Ge微簇表面氧化层厚度的确定及光致发光现象

摘要

半导体微簇光致发光现象是目前物理学的研究热点之一。从光电子能谱的基本原理出发 ,提出了一种确定 IVA族元素半导体纳米微簇的表面氧化层厚度的有效方法并应用于对 Ge微簇构成纳米组装薄膜的光学性质和光致发光机制的解释。直径为 1 0 nm的 Ge微簇由 2 nm厚的表面氧化层及直径为 6nm的未氧化中心构成。该中心具有强的量子约束效应导致的基本带隙展宽 (光学吸收边蓝移 ) ,氧化层、中心及其组合在紫光的激发下产生复杂的光致发光现象。实验结果与文中所提出的理论模型吻合。