混合物理化学气相沉积法制备Mg衬底MgB_2薄膜

摘要

用混合物理化学气相沉积(Hybridphysical-chemicalvapordeposition简称为HPCVD)法在Mg衬底上原位制备出MgB2超导薄膜样品。超导起始转变温度Tc(onset)=39.5K,SEM(ScanningElectronMicroscopy)图显示晶型结构为六方形,晶粒生长较为致密。样品的X射线衍射分析表明,MgB2薄膜是多晶的,没有择优方向。晶粒大小约为400nm^1μm。结果表明HPCVD技术在Mg表面直接沉积MgB2薄膜是可行的,对Mg原料的节约和MgB2线材的制备具有一定优势。