首页> 中文期刊>北京大学学报:自然科学版 >垂直磁记录介质Co—CoO膜的磁畴结构和反磁化机理

垂直磁记录介质Co—CoO膜的磁畴结构和反磁化机理

摘要

应用Lorentz显微术观察了反应函镀的Co-CoO膜的磁畴结构。当垂直各向异性场Hk和磁化强度相对垂直取向比OR⊥增加时,它的磁畴结构从典型的180°面内畴变成点状畴,后者是单轴垂直磁各向异性介质的一种典型特征。用VSM测量的OR的角度依赖性显示了垂直磁各向异性的Co-CoO膜中存在一定量的面内磁化强度分量。结合对矫顽力Hc,剩磁矫顽力Hcr和磁滞损耗Wh的角度依赖性测量结果进行分析,可以得出结

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号