界面对纳米SiC/LAS陶瓷复合材料微波介电性能的影响

摘要

利用激光诱导法制备的纳米SiC和LAS玻璃粉米,采用热压法制备纳米SiC/LAS陶瓷复合材料,研究了纳米SiC/LAS陶瓷复合材料微波介电性能与纳米SiC含量、烧结温度以及碳界面层的关系.结果表明,在1 080℃以下烧结温度对陶瓷致密度的影响较大而对陶瓷复介电常数的影响较小;但在1 080℃以上烧结温度对烧结致密度的影响较小,而对陶瓷复介电常数的影响较大,复合材料复介电常数的实测值与计算值之间存在很大的差异.通过计算和分析认为,复合材料制备过程中纳米尺度的SiC促进了碳界面层形成,使得烧结温度对复合材料复介电常数有很大影响.