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一种SiC纳米线增强SiC多孔陶瓷复合材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种SiC纳米线增强SiC多孔陶瓷复合材料及其制备方法,属于陶瓷基复合材料领域,制备的SiC纳米线增强SiC多孔陶瓷材料具有强度高,韧性好,密度小,耐高温,孔径分布均匀等优点。该复合材料包括SiC纳米线和SiC多孔陶瓷基体,所述超长SiC纳米线通过原位自交联生长组成SiC多孔陶瓷基复合材料预制件,所述的SiC纳米线预制件中的超长SiC纳米线相互缠绕,交联成空间网状结构,所述的SiC多孔陶瓷基体填充于超长SiC纳米线的孔隙中;制备方法包括SiC纳米线预制件的制备、化学气相浸渗、先驱体浸渍烧结,该制备方法工艺简单,设备要求低,成本低,环保。

著录项

  • 公开/公告号CN108947554A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-12-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京航空航天大学;

    申请/专利号CN201810953446.4

  • 发明设计人 李斌斌;黄海泉;毛帮笑;

    申请日2018-08-13

  • 分类号C04B35/80(20060101);C04B35/565(20060101);C04B35/64(20060101);C04B38/00(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 210016 江苏省南京市江宁区将军大道29号

  • 入库时间 2023-06-19 07:30:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/80 申请日:20180813

    实质审查的生效

  • 2018-12-07

    公开

    公开

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