短周期超晶格能带的赝势法计算

摘要

目的研究短周期（ＧａＡｓ）ｎ（ＡｌＡｓ）ｎ超晶格能带，通过能带了解超晶格红外光吸收性质．方法用赝势法计算超晶格能带，比较不同（ＧａＡｓ）ｎ（ＡｌＡｓ）ｎ超晶格能隙随ｎ变化的关系．结果计算表明ｎ≤５时（ＧａＡｓ）ｍ（ＡｌＡｓ）ｎ为间接能隙半导体以及能带间存在大量微带和带间交叉．结论超晶格可以用来作红外波吸收材料；相同的赝势形状因子在不同能带计算方法下给出的结果有较大差异．