辉光功率对硅薄膜太阳能电池串联电阻的影响

摘要

采用RF-PECVD在不锈钢衬底上制备了一系列NIP结构的硅薄膜太阳能电池,得到本征层的辉光功率分别是4 W,7.2 W,9 W,20 W,40 W.用磁控溅射在P层表面蒸镀ITO透明电极,用太阳能模拟器做光源,测试了电池的串联电阻等性能参数.结果表明本征层辉光功率对电池串联电阻的影响显著.在相同条件下制备了本征单层膜系列样品并进行表征.通过对薄膜性质的分析,运用三相混合模型和渗流理论解释了串联电阻随本征层辉光功率变化的原因.