多晶硅薄膜晶体管的串联电阻模型

摘要

本文提出了多晶硅薄膜晶体管(Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors, Poly-Si TFTs)的串联电阻物理模型。该模型针对器件的物理结构，详细地分析了栅极与源漏极交叠区域（即源漏掺杂离子横向扩散进入本征沟道所形成的交叠区域）中存在的三种物理效应：栅压诱导产生的载流子积累效应、电流路径的发散效应以及晶粒间界势垒对载流子的调制效应。据此建立了多晶硅TFT串联电阻模型，该模型可以准确的描述多晶硅TFT串联电阻对栅压的非线性依赖关系。利用该模型计算得到的串联电阻值可以与实验提取值很好地吻合，并在MILC和ELA两种不同工艺的多晶硅TFT器件上都得到了验证。
　　此外，我们还对上述模型进行了进一步的讨论与优化，得到了串联电阻模型的解析表达式，从解析表达式中可以看出器件参数对多晶硅TFT串联电阻的影响，并逐一澄清了串联电阻的各个分量。最终，本文提出了一些可以有效减小串联电阻的方法。

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第一章 绪论

1.1平板显示技术

1.2多晶硅TFT概论

1.3 实验样品的制备及测试仪器

参考文献

第二章 串联电阻模型的研究现状

2.1 Rs模型研究进展综述

2.2非晶硅中的Rs模型

2.3 MOSFET中的Rs模型

2.4本章小结

参考文献

第三章 多晶硅TFT的串联电阻模型

3.1 Rs的构成

3.2多晶硅的晶粒间界势垒模型

3.3 Rs模型的推导

3.4 Rs提取方法

3.5实验结果与模型的验证

3.6模型的优化与解析表达式

3.7减小串联电阻的方法

3.8本章小结

参考文献

第四章 结论及未来工作

致谢