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戴永胜; 方大纲;
南京理工大学电子工程与光电技术学院;
砷化镓微波单片集成电路; 开关场效应晶体管模型; 电路模型参数; 微波控制电路; 多倍频程;
机译:带PIN光电二极管和GaAs MESFET传输门的光电开关建模
机译:GaAs MESFET中开关瞬态的分布式建模
机译:GaAs MESFET和HEMT中弱雪崩效应和强雪崩效应的脉冲测量和电路建模
机译:GaAs控制MMIC的DC-50GHz开关MESFET建模技术及其应用。
机译:用于低噪声应用的铜/钛金属化GaAs MESFET和HEMT的制造,测试和可靠性建模。
机译:GaAs-AlGaAs核-壳纳米线的生长建模
机译:用于线性集成电路设计的GaAs MESFET的分析和建模
机译:LsI / VLsI(大规模集成/超大规模集成)离子注入Gaas(砷化镓)IC处理。附录B.用于集成高速逻辑电路的Gaas mEsFET器件的二维建模
机译:利用Gaas Mesfets实现的高速动态多米诺电路
机译:GAAS MESFET的高频建模方法
机译:砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)的建模方法
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