高次谐波抑制微型滤波器研究

摘要

为了抑制微型滤波器中的高次谐波,该文运用多层耦合带状线谐振器和交叉耦合传输零点原理,在改进的三维梳状带通滤波器结构中引入交叉耦合,增强非相邻谐振级间的交叉耦合;在二、四谐振级间引入Z字型导体层,通过调节Z字型导体层来控制传输零点位置;同时适当调节加载电容大小,从而有效减小了滤波器体积,实现了高次谐波抑制。利用低温共烧陶瓷技术设计了中心频率为1.3 GHz、带宽为200 MHz的微型带通滤波器。实验和仿真结果表明,该滤波器的通带插入损耗小于2.0 dB,三次和四次谐波抑制高于45 dB,尺寸仅为4.8 mm×4.2 mm×1.5 mm。