Si基薄膜的X射线衍射表征研究

郝正同; 杨子义

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Si基薄膜的X射线衍射表征研究

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简述了X射线衍射(X-Ray Diffraction,XRD)的基本原理,计算了硅晶体的消光特性,从理论上研究了Si基薄膜XRD表征的特征.研究结果表明:由于薄膜的择优生长,Si基薄膜XRD谱与粉晶XRD谱存在差异;并可能观测到Si基片的二级衍射峰.研究结果在实际应用中对分析硅基薄膜的晶体结构具有重要意义.

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来源
《绵阳师范学院学报》 |2010年第11期|21-23,37|共4页
作者
郝正同; 杨子义;
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作者单位

绵阳师范学院物理与电子工程学院,四川绵阳,621000;

贵阳学院物电系,贵州贵阳,550025;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类衍射实验及数据处理;
关键词
薄膜; X射线衍射; 消光特性; 择优生长;

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