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ZnO自整流忆阻器及其神经突触行为

     
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摘要

Ti/ZnO/AZO/Pt忆阻器件表现出无Forming及自整流的非易失双极性忆阻特性.I-V曲线的拟合以及变温测试结果表明,忆阻行为属于纯电子效应,器件的导电行为来源于空间电荷限制电流或肖特基发射机理.在此基础上模拟了生物神经突触的长程可塑性以及学习-遗忘-再学习经验式行为.

著录项

  • 来源
    《材料科学与工程学报》|2018年第5期|726-729857|共5页
  • 作者

    王洋; 诸葛飞; 焦雷; 赵飞文; 李惠; 郑秀; 曹鸿涛; 梁凌燕; 张洪亮; 高俊华;

  • 作者单位

    江苏大学材料科学与工程学院 ,江苏镇江 212013;

    中国科学院宁波材料技术与工程研究所 ,浙江宁波 315201;

    江苏大学材料科学与工程学院 ,江苏镇江 212013;

    江苏星源电站冶金设备制造有限公司 ,江苏靖江 214500;

    江苏科技大学材料科学与工程学院 ,江苏镇江 212013;

    中国科学院宁波材料技术与工程研究所 ,浙江宁波 315201;

    中国科学院宁波材料技术与工程研究所 ,浙江宁波 315201;

    中国科学院宁波材料技术与工程研究所 ,浙江宁波 315201;

    中国科学院宁波材料技术与工程研究所 ,浙江宁波 315201;

    中国科学院宁波材料技术与工程研究所 ,浙江宁波 315201;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 材料;
  • 关键词

    忆阻器; 自整流; 神经突触器件; ZnO;

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