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黄佳木; 徐成俊; 王亚平;
重庆大学材料学院,重庆,400045;
(Ti,Zr)N薄膜; 金黄色; 表面形貌; 电子结构; 多晶态;
机译:射频磁控溅射PbO_x缓冲层制备高(100)取向Pb(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3薄膜的制备及性能
机译:射频磁控溅射制备CaLa4(Zr0.05Ti0.95)(4)O-15薄膜的性能
机译:Ti和Zr掺杂对射频磁控溅射制备的LiCoO_2薄膜阴极电化学性能的影响
机译:LaNiO_3底电极的沉积和工艺条件对射频磁控溅射制备Pb(Zr,Ti)O_3薄膜电容器性能的影响
机译:PLZT [(Pb,La)(Zr,Ti)O3]薄膜的制备方法及其电学和光学性质的研究。
机译:磁控溅射Cu-Zr-Al金属玻璃薄膜的制备腐蚀和力学性能
机译:双枪RF磁控溅射的Pb(Zr0.9Ti0.1)O3 / Pb(Zr0.1Ti0.9)O3多层薄膜的制备及电性能
机译:用于pb(Zr,Ti)O(sub 3)薄膜电容器的La(sub 0.5)CoO(sub 3)// pt复合电极的射频磁控溅射沉积
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微执行器中具有实用性
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微致动器中具有实用性
机译:A站点和/或B站点修改的PBZRTIO3材料和(PB,SR,CA,BA,MG)(ZR,TI,NB,TA)O3膜可在铁电随机访问存储器和高性能薄膜微执行器中使用
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