用热蒸发法制备CdS纳米带

摘要

在外加电场的作用下,用物理热蒸发法制备出了定向生长的硫化镉纳米带.借助扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱分析仪(EDX)和透射电镜(TEM)对硫化镉纳米带的形貌、成分和晶体结构进行了分析.结果表明:当外加电场为400 V,蒸发温度为1150℃,环境压力为150 torr,气体流量为50 SCCM时,可制备出平均宽度为25μm,厚80nm,长达几毫米的定向生长的硫化镉纳米带.