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宿辉; 蔡伟;
哈尔滨工业大学,材料科学与工程流动站,黑龙江,哈尔滨,150001;
黑龙江工程学院材料与化学工程系,黑龙江,哈尔滨,150050;
(SiC)p; 表面修饰; 化学镀; 热力学;
机译:化学修饰的玉米芯吸附重金属镉离子的机理,动力学和热力学
机译:使用化学修饰的苹果果渣改善水溶液中镉离子的吸附:机理,动力学和热力学。
机译:常规CVD和卤化物CVD环境下SiC(0001)表面的气相反应和结构的第一原理和热力学分析
机译:化学修饰纳米晶纤维素的溶剂化结构和热力学的多尺度建模
机译:用于研究化学修饰表面上吸附的蛋白质膜的分析方法。
机译:具有中性和离子性头基的烷烃表面活性剂对高岭石插层和表面改性的热力学机理和界面结构
机译:SiC超精密磨削表面和亚表面损伤特征及形成机理的实验研究
机译:铝硅碳化物al4siC4和al8siC7的汽化热力学
机译:用碳化硅在碳化硅(SiC)基体的氧化膜表面上涂覆牺牲金属的装置和使用相同方法分析氧化膜表面缺陷的方法
机译:热力学分析装置和热力学分析仪样品架
机译:表面改性单晶SiC衬底,具有外延生长层的单晶SiC衬底,半导体芯片,用于物种衬底的单晶SiC生长和单晶生长层多晶SiC衬底的制造方法
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