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镁合金微弧氧化过程中的成膜规律

     

摘要

镁合金微弧氧化膜层的生长按一定的成膜规律进行.从氧化过程中样品各部分尺寸的变化中发现,氧化前期是以向基体外生长为主,而后期则以向基体内生长为主.用ICP-AES仪器研究了基体中的合金元素向溶液中迁移规律.并估算了薄膜生长前期的各种料子运动情况,认为微弧氧化前期膜层的生长速度受电解液中的传质速度所控制.而薄膜生长后期则由扩散方程所控制,其中氧离子的扩散至为关键.

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