Ti掺杂对NiZn铁氧体低频损耗特性的影响

摘要

cqvip:用固相反应法合成了Ni0.4Zn0.6Fe2-xTixO4(x=0,0.025,0.05,0.075,0.1)铁氧体材料,并测定了样品在低频低磁通密度下的损耗特性,研究了TiO2掺杂对材料的起始磁导率及磁损耗的影响。实验结果表明,随TiO2掺杂量的增大,材料的损耗先降低后增加,机理较复杂,掺杂量在0.05左右,磁导率最大,磁损耗最小。