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张显良;
安徽大学;
介电材料; 介电常数; 介电损耗; 磁导率; 磁损耗; Ti掺杂; NiZn铁氧体;
机译:纯,SR掺杂,Ni掺杂和共掺杂CaCu3Ti4O12陶瓷的比较研究:介电性能的增强
机译:Al〜(3+)掺杂“一步合成”对NiZn铁氧体磁性能和介电性能的影响
机译:Ti和Cu-Ti共掺杂铋铁氧体(BiFeO_3)的结构,红外,介电性能和导电机理的比较研究
机译:钨青铜氧化物的结构和介电研究(SR_(6)Ti_(2)NB_(8)O_(30)和Mn掺杂SR_(6)Ti_(2)Nb_(8)O_(30))
机译:掺杂和不掺杂铌酸铅铟:铌酸镁铅的温度稳定性得到改善的高介电常数陶瓷和薄膜的研究
机译:掺杂LiF的(Ba0.95Ca0.05)(Ti0.93Sn0.07)O3无铅压电陶瓷板的介电压电和振动特性
机译:在室温下改善Fe掺杂的pbTiO3纳米颗粒的介电和铁磁性质
机译:Ti-Fe与H掺杂Ti-Fe在(111)方向上的温度相关弹性模量的比较
机译:具有(PB,LA)(ZR,TI)O3和玻璃的银掺杂介电质的陶瓷电容器
机译:用金属离子掺杂H2Ti12O25并使用掺杂的H2Ti12O25的方法
机译:用金属离子掺杂H2081Ti12O25并使用掺杂的H2Ti12O25的方法
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