自发有序Ga0.5In0.5P合金的喇曼光谱研究

摘要

在室温和非共振条件下测量了自发有序Ga0.5In0.5P合金的喇曼散射谱。测得的380，360和330cm-1附近的三个散射峰分别归结于合金中的类GaP的LO模、类InP的LO模和TOM模。发现有序合金的类GaP的LO模的声子频率随着合金的带隙能量的降低而增大。认为这与在有序合金中形成沿[111]方向的（GaP)1/(InP)1单层超晶格有一定联系，在几种偏振配置下测得的有序合金的喇曼谱的偏振特性与通常的闪锌矿结构的半导体材料的偏振特性类似。