首页> 中文期刊>光散射学报 >包裹在自组装Si/Ge点超晶格上的声学声子拉曼散射研究

包裹在自组装Si/Ge点超晶格上的声学声子拉曼散射研究

     

摘要

@@ Self-assembled Si/Ge quantum dot (QD) structures have been intensivelystudied in the last years for potential applications in Si based integrated optoelectronics[1]. For the demand of many technical applications, Ge dot superlattices separated by Si can be deposited in order to increase the optical and electronic response.

著录项

  • 来源
    《光散射学报》|2005年第3期|312-314|共3页
  • 作者单位

    Walter Schottky Institut, Technische Universitaet Muenchen, D-85748 Garching, Germany;

    State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, P. R. China;

    Walter Schottky Institut, Technische Universitaet Muenchen, D-85748 Garching, Germany;

    Walter Schottky Institut, Technische Universitaet Muenchen, D-85748 Garching, Germany;

    Walter Schottky Institut, Technische Universitaet Muenchen, D-85748 Garching, Germany;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 物理学;
  • 关键词

    Si/Ge点; 半导体; 超晶格; 声子; 拉曼散射; 量子结构; 光电子学;

  • 入库时间 2023-07-25 22:51:15

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号