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于兴君;
应变层超晶格; 晶体结构; 错配度; 晶格常数;
机译:超晶格中的失配应变通过有源层中的微应变控制电子-晶格相互作用
机译:LaMnO_(3 +δ)/ SrTiO_3超晶格中超薄LaMnO_(3 +δ)层的解开界面应变和界面晶格重构机理
机译:1.5微米波长激光的应变补偿应变层超晶格
机译:用于红外检测的III-V族化合物半导体应变层超晶格的原子结构和缺陷
机译:原子应变法测定InAs / GaSb应变层超晶格中的原子空位
机译:超晶格中的错入应变,控制电子晶格相互作用在活动层中的微陶器
机译:应变层超晶格和晶格失配外延层中位错的光学成像
机译:nBn和pBp红外探测器,具有梯度阻挡层,梯度吸收层或chi形应变层超晶格吸收层
机译:具有梯度阻挡层,梯度吸收层或形应变层超晶格吸收层的nbn和pBp红外探测器
机译:发射辐射的半导体器件包括:有源层,其布置在n和p掺杂的壳体层之间;扩散停止层,其具有张紧的超晶格,该张紧的超晶格布置在有源层和p掺杂的壳体层之间
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