抛物量子点的非线性光学折射率变化

摘要

详细研究了GaAs/AlGaAs抛物线形量子点(QDs)在电场和磁场作用下的折射率的变化.通过使用密度矩阵理论和迭代的方法,可以得到线性和非线性子带间的折射率变化(RIC)的解析表达式.计算结果表明,入射光强度、QDs的半径、宽度以及施加的电场和磁场对系统的折射率变化有很大影响,进而为研究抛物线形量子点的非线性光学折射率变化提供了必要的理论依据.