气相法生长ZnO纳米线及其阻变性能研究

摘要

利用气相法生长ZnO纳米线,制备基于单根ZnO纳米线的存储器。研究表明,ZnO纳米线~10μm长,直径~50nm粗,呈六角纤锌矿结构,沿〈001〉方向生长且缺陷较少。基于单根ZnO纳米线的存储器具有明显的双极型阻变存储特征,高低阻态之间的电阻比大于10,两阻态保持时间高于1×104s,阻值稳定且高低态间的阻值比能够得到保持。进一步研究发现,其低阻态为欧姆传导机制,高阻态为空间电荷限制电流机制（SCLC）。