首页> 中文期刊> 《金陵科技学院学报》 >在InAs/InxGa1-xAs核壳量子点中电子的能态研究

在InAs/InxGa1-xAs核壳量子点中电子的能态研究

         

摘要

分析了单电子情况下InAs/InGaAs核壳结构量子点中系统总哈密顿,利用有效质量理论求解了稳态薛定谔方程;在考虑电子—声子相互作用下,利用微扰理论计算得到系统的能谱及波函数,并对其参量关系进行了分析和讨论.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号