卟啉修饰电极的制备及金属离子的电位溶出行为

摘要

目的：将修饰电极应用于电位溶出分析. 方法：采用化学吸附法制备出meso-四(对-乙基苯基)卟啉和meso-四(对-甲氧基苯基)卟啉修饰玻碳电极. 研究Zn(Ⅱ),Cu(Ⅱ),Cd(Ⅱ)和Pb(Ⅱ)金属离子在该电极上的电位溶出行为,并与预镀汞膜玻碳电极、玻碳电极的电位溶出行为进行了比较. 结果：溶出时间(τ)与金属离子浓度均有良好的线性关系,最适宜分析的浓度范围是Zn(Ⅱ)：1×10-7 ～5×10-5 mol/L; Cd(Ⅱ)和Pb(Ⅱ)： 6×10-7～5×10-5 mol/L; Cu(Ⅱ)： 5×10-8～2×10-5 mol/L. 微分电位溶出分析时灵敏度提高一个数量级，相对标准偏差为0.90%～2.3% （n =15）. 结论：使用卟啉修饰电极进行电位溶出分析可获得好的重现性和满意的灵敏度.