硝苯地平在聚吡咯膜修饰电极上的电化学行为及电位溶出分析

摘要

提出了在吡咯的聚合过程将硝苯地平掺杂富集进聚吡咯膜中,然后在合适的溶液中通过线性扫描将之溶出的分析方法.与空白聚吡咯修饰电极(PPy-CCE)比较,在0.088 mol/L H2O2-0.1 mol/L H2SO4底液中,以100 mV/s的速率进行线性扫描时,硝苯地平有一灵敏的线性扫描溶出峰,峰电位在-0.628 V(vs.SCE).峰电流与硝苯地平的浓度在1×10-8～1 × 10-4mol/L范围内有良好的线性关系,利用这一峰对硝苯地平片剂的含量进行了测试,分析结果令人满意.