籽晶保护条件下铈掺杂溴化镧晶体生长及其性能

摘要

为定向生长出铈掺杂溴化镧(LaBr_(3):Ce)晶体,改进了坩埚下降法,并在籽晶接种过程引进冷却气体的保护装置。生长出的LaBr_(3):Ce晶体在^(137)Cs放射源辐照下,其能量分辨率为3.08%,衰减时间为20.1 ns。采用多通道DRS4采集系统,以XP20D0型光电倍增管耦合Ф20 mm×5 mm溴化镧器件作为开始道探测器,H8500型光电倍增管耦合LaBr_(3):Ce阵列作为被测停止道探测器,放射源为22 Na(511 keV)。制备了6×6的LaBr_(3):Ce阵列,单根晶体条的尺寸为2 mm×2 mm×15 mm。利用数字化波形分析法,获得阵列的清晰二维散点图和一维位置谱,阵列x和y方向的位置分辨率分别为1.01 mm和0.89 mm。制备出的LaBr_(3):Ce晶体具有优异的能量分辨率和位置分辨率,可以应用于PET等医学成像技术领域。