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胡礼中;
无;
机译:零偏置,低-,单片集成10 Gbit / s DFB激光器和电吸收调制器,位于半绝缘InP衬底上
机译:全MOCVD在p-InP衬底上的低阈值FS-BH激光器
机译:利用集成无源技术在SI-GaAs衬底上设计高性能Wilkinson功率分配器
机译:在P-InP衬底上的全MOCVD生长的BH激光器
机译:在变质砷化镓衬底上,长波长光电探测器和高电子迁移率晶体管的单片集成。
机译:单片集成中红外量子级联激光器和检测器
机译:高性能Wilkinson Power Divider在Si-GaAs衬底上使用集成无源技术
机译:通过弛豫渐变Gexsi(1-x)缓冲层在Ge / Gesi / si衬底上直接单片集成alxGa(1-x)as / InxGa(1-x)as LED和激光器的策略。
机译:边缘发射半导体激光器的制造方法,涉及在公共生长衬底上单片集成激光二极管,其中激光二极管发出不同波长的辐射
机译:单片集成BH激光器结构,具有扩散有源激光层,在结构形成中作为增强单元,扩散有源激光层在横向方向上朝前端面呈现集成锥形
机译:半导体特别是半导体激光器的生产包括将衬底放置在卫星上,并在衬底上形成薄合金半导体层,同时通过卫星将热能馈送到衬底上
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