质子射频场照射对13C自旋晶格弛豫的影响

许峰; 刘玉林; 黄永仁

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质子射频场照射对13C自旋晶格弛豫的影响

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用扩展的Solomon方程描述1H受到射频(RF)场照射时13C的自旋晶格弛豫过程.理论分析表明,在1H受到射频场照射时,13C自旋晶格弛豫通常是一个三指数过程,但在特定实验条件下可以变为单指数过程.数值模拟可显示出满足TC1TH1条件的13C自旋晶格弛豫过程的明显差别以及不同射频场强度对13C自旋晶格弛豫的影响.通过实验观察固体L-缬氨酸的甲基13C自旋晶格弛豫过程,测定相应的弛豫时间.所得结果与理论分析和数值模拟完全吻合.

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来源
《吉林大学学报（理学版）》|2002年第1期|75-79|共5页
作者
许峰; 刘玉林; 黄永仁;
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作者单位

淮南工业学院数理系,淮南,232001;

淮南工业学院化工系,淮南,232001;

华东师范大学分析测试中心,上海,200062;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类无线电波谱学;
关键词
核磁共振; 自旋晶格弛豫; 射频场; Solomon方程;

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