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马春生; 范爱英; 刘式墉;
吉林大学电子科学系;
机译:Photovoltage and photocurrent spectroscopy ofp+hyphen;ihyphen;n+GaAs/AlGaAs quantum well heterostructures
机译:具有AlAs阻挡层的n-AlGaAs / GaAs / n-AlGaAs双量子阱:将熔覆掺杂水平与结构和传输性质相关
机译:选择性掺杂异质结构AlgaAs / GaAs掺杂层中DX中心和其他缺陷络合物对AlGaAs层和二维通道中电子浓度的影响
机译:硅供体掺杂对不同温度的量子井Algaas / GaAs电子传输的影响
机译:具有高纵横比和低传输损耗的GaAs / AlGaAs亚微米级波导,用于波长转换。
机译:跨GaAs / AlGaAs异质结构界面的纳米级热传输
机译:具有光阱层的低损耗,低约束度的GaAs-AlGaAs DQW激光二极管,用于大功率工作
机译:载流子限制对激光诱导Gaas / alGaas异质结构蚀刻的影响。
机译:在包含氮的活性区域和AlGaAs限制层之间使用GaAs扩展势垒层
机译:利用AlGaAs的半绝缘层结合上覆的掩膜层制造GaAs器件的方法
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