非均匀恒磁场对小鼠学习记忆能力的影响

摘要

目的　探讨非均匀恒磁场N、S极对小鼠学习记忆的影响。方法　用避暗实验法和自主活动法 ,分别观察非均匀恒磁场N、S极对学习记忆能力的影响 ;应用光镜观察非均匀恒磁场N、S极治疗后 ,脑组织神经元细胞形态学改变。结果　避暗实验表明磁场N极组与空白对照组比较 ,学习成绩测试错误次数 (mis take ,M值 )减少 ,记忆测试M值减少 ,均有显著性差异 (P <0 .0 5 ) ;磁场S极组与空白对照组比较 ,记忆测试M值减少 ,有显著性差异 (P <0 .0 5 ) ;小鼠自主活动测定各组均无显著性差异 (P >0 .0 5 ) ;各组比较脑神经元的结构无明显改变。结论　非均匀恒磁场的预防性治疗 ,可提高小鼠的学习记忆能力 ,并以N极为著