首页> 中文期刊> 《分析测试学报》 >氯霉素在p-PTA/CS-AB/GCE修饰电极上的电化学行为及测定

氯霉素在p-PTA/CS-AB/GCE修饰电极上的电化学行为及测定

         

摘要

制备了聚磷钨酸/壳聚糖-乙炔黑修饰电极(p-PTA/CS-AB/GCE),采用循环伏安法(CV)研究了氯霉素在该修饰电极上的电化学行为.结果表明,在pH 6.0的PBS溶液中,氯霉素(CAP)在该修饰电极上出现1个还原峰,在40~400 mV/s扫速范围内,CAP的还原峰电流与扫速呈线性关系,说明CAP在修饰电极上的电化学反应过程是受吸附控制的不可逆过程.用差分脉冲伏安法(DPV)对不同浓度的CAP进行检测,在5.0×10-7~1.0×10-4mol/L浓度范围内,还原峰电流与浓度呈线性关系,检出限(S/N=3)为5.13×10-8mol/L.用该方法对氯霉素片进行检测,相对标准偏差(RSD)为1.4%,回收率为97.7%~105.1%.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号