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李金; 刘廷禹; 姚舒安; 付明雪; 鲁晓晓;
上海理工大学 理学院 上海 200093;
第一性原理; LuPO4; 氧空位; 过渡态搜索;
机译:氧空位对ZnAl_2O_4(100)表面稳定性,电子和光学性质的影响;第一性原理研究
机译:氧空位引起的La2 / 3Sr1 / 3MnO3的结构,电子和磁性性质变化的第一性原理研究
机译:具有氧空位的SnO_2的电子结构和光学性质的第一性原理研究
机译:第一性原理研究单个锌或氧空位对Ⅴ掺杂ZnO的电子和光学性质的影响
机译:分子固体和半导体中杂质的电子结构和性质的第一性原理研究:I.有机铁磁体中的mu和mu。二。硅光电系统中的。
机译:单轴拉伸应变下具有S空位的单层MoS2的结构和电子性质的第一性原理研究
机译:非晶siO2中氧空位缺陷的第一性原理研究
机译:元素硼片和纳米管稳定性和电子性质的第一性原理研究
机译:用于减少闪存器件中底部氧化物层中氧空位含量的ONO制造工艺
机译:金属氧氮化物薄膜的制造方法,其包括在含氮气氛中对金属氧化物膜进行第一次退火以形成金属氧氮化物膜,并在氧化气氛中对金属氧氮化物膜进行第二次退火。
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