氢化非晶硅膜高速淀积的研究

摘要

本文报道了用微波等离子体化学气相淀积(MP—CVD)技术从 SiH_4+H(?)进行 a-Si∶H 薄膜的高速淀积研究。对淀积参数对淀积行为的影响、淀积膜的结构性能也进行了研究。研究表明,在保证材料具有一定质量的前提下,用该技术能达到高达30μm/h 的淀积速率,且淀积效率达到近100%。