高温等静压后处理液相烧结SiC陶瓷的结构与性能表征

摘要

本文研究了高温等静压（ＨＩＰ）后处理工艺对液相烧结ＳｉＣ陶瓷的显微结构及力学性能的影响，实验表明，ＨＩＰ后处理的效果随烧结助剂的不同及液相烧结温度的变化而改变结构缺陷，但不引起晶粒的长大，Ｎ２条件下的ＨＩＰ后处理除了具有Ａｒ－ＨＩＰ后处理的优点外，由于表面ＳｉＣ与Ｎ２之间的反应生成的Ｓｉ３Ｎ４可以有效地改善表面状态，从而达到表面改性，提高ＳｉＣ陶瓷的力学性能，结构分析表明，经Ｎ２－ＨＩＰ后处理，表