Ba（Mg1／3Ta2／3（1＋x）O3陶瓷烧结性,微观结构及微波介电性能

摘要

本文就ＢＭＴ陶瓷Ｂ位Ｔａ非化学计量比对其烧结性、微观结构及微波介电性能的影响地研究。发现：（１）Ｂ位Ｔａ过量可促进ＢＭＴ的烧结，而Ｔａ缺量则阻碍其烧结。（２）Ｂ位离子有序度不仅同缺陷的数量关系，而且还同其缺陷类型有关。Ｂ位Ｔａ缺陷的存在阻碍其有序度的提高。（３）ＢＭＴ样品的Ｑ·ｆ值随Ｔａ过量的增加而降低。相对介电常数则随之增加。