新型SOl-Gel技术PZT铁电厚膜的制备及电学性能研究

摘要

采用新型sol-gel技术在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了厚度为2～60μm的PZT铁电厚膜材料;研究了PZT厚膜的结构及其介电、铁电性能.XRD谱分析显示,PZT厚膜呈现出纯钙钛矿相结构,无焦绿石相存在.SEM电镜照片显示,PZT膜厚均匀一致,无裂纹、高致密.厚度为50μm的PZT厚膜的介电常数为860,介电损耗为0.03,剩余极化强度是25μC/cm2,矫顽场是40kV/cm.